Samsung mz-75e250b _ 850 Evo 250 GB interne
von Samsung
Marke
Samsung
Was ist 3D v-nand und wie es sich aus bestehenden Technologie
SamsungS einzigartiger und innovativer 3D v-nand Flash Memory Architektur ist ein Durchbruch in der Dichte und Grenzen zu überwinden, Leistung und Ausdauer von heuteS-Planar-Architektur. 3D-v-nand ist durch intelligente Stapelung überzogenen 32-Lagen vertikal über verschieden anstatt zu versuchen, die Verringerung der Zellen und passen sich in einer festen horizontalen Abstand für höhere Dichte und bessere Leistung nutzen einer geringer Stellfläche.
Optimierung der täglichen Computing mit TurboWrite Technologie für erstklassigen Lese- und Schreibgeschwindigkeit.
Erreichen die ultimative Lese-/Schreib-Performance zu maximieren Ihre tägliche Computerarbeit Erfahrung mit SamsungS TurboWrite Technologie. Nicht nur erhalten Sie mehr als 10% verbessertes Nutzererlebnis als 840 EVO *, sondern auch bis zu 1,9 x schneller Random Write Geschwindigkeiten für 120/250 GB-Modelle * *. Die 850evo liefert der Spitze seiner Klasse (520 MB/s) Leistung in Sequential Read (540 MB/s) und Geschwindigkeiten. Plus, erhalten Sie optimale Leistung in allen QD für Client PC-Nutzung Szenario.
* PCMARK7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO).
* * Random Write (qd32,120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88,000 IOPS (850 EVO).
Rein in die Überholspur mit dem verbesserten Rapid-Modus.
SamsungS Magician Software, die bietet schnelle Modus für 2 x schnellere Verarbeitung Daten * auf ein System mit Nutzung ungenutzt PC-Speichermodul (DRAM) Cache-Speicher. Die neueste Magier erhöht die maximale Speicherkapazität Verwendung im schnellen Modus von 1 GB, in der vorherigen 840 EVO Version, bis zu 4 GB mit 850 EVO, wenn die Durchführung der 16 GB DRAM. You also Get A 2 x Leistung * Boost in all Random Queue Tiefe.
* PCMARK7 Raw (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid-Modus).
Garantiert Ausdauer und Zuverlässigkeit verstärkt durch 3D-v-nand Technologie.
Die 850 EVO bietet garantierte Ausdauer und Zuverlässigkeit durch die TBW * im Vergleich zu den vorherigen Generat
SamsungS einzigartiger und innovativer 3D v-nand Flash Memory Architektur ist ein Durchbruch in der Dichte und Grenzen zu überwinden, Leistung und Ausdauer von heuteS-Planar-Architektur. 3D-v-nand ist durch intelligente Stapelung überzogenen 32-Lagen vertikal über verschieden anstatt zu versuchen, die Verringerung der Zellen und passen sich in einer festen horizontalen Abstand für höhere Dichte und bessere Leistung nutzen einer geringer Stellfläche.
Optimierung der täglichen Computing mit TurboWrite Technologie für erstklassigen Lese- und Schreibgeschwindigkeit.
Erreichen die ultimative Lese-/Schreib-Performance zu maximieren Ihre tägliche Computerarbeit Erfahrung mit SamsungS TurboWrite Technologie. Nicht nur erhalten Sie mehr als 10% verbessertes Nutzererlebnis als 840 EVO *, sondern auch bis zu 1,9 x schneller Random Write Geschwindigkeiten für 120/250 GB-Modelle * *. Die 850evo liefert der Spitze seiner Klasse (520 MB/s) Leistung in Sequential Read (540 MB/s) und Geschwindigkeiten. Plus, erhalten Sie optimale Leistung in allen QD für Client PC-Nutzung Szenario.
* PCMARK7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO).
* * Random Write (qd32,120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88,000 IOPS (850 EVO).
Rein in die Überholspur mit dem verbesserten Rapid-Modus.
SamsungS Magician Software, die bietet schnelle Modus für 2 x schnellere Verarbeitung Daten * auf ein System mit Nutzung ungenutzt PC-Speichermodul (DRAM) Cache-Speicher. Die neueste Magier erhöht die maximale Speicherkapazität Verwendung im schnellen Modus von 1 GB, in der vorherigen 840 EVO Version, bis zu 4 GB mit 850 EVO, wenn die Durchführung der 16 GB DRAM. You also Get A 2 x Leistung * Boost in all Random Queue Tiefe.
* PCMARK7 Raw (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid-Modus).
Garantiert Ausdauer und Zuverlässigkeit verstärkt durch 3D-v-nand Technologie.
Die 850 EVO bietet garantierte Ausdauer und Zuverlässigkeit durch die TBW * im Vergleich zu den vorherigen Generat
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