5 Stück MDF18N50BTH MDF18N50TH MDF18N50B MDF18N50 TO220F
von Generic
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Generic
Die angegebenen Bauteile sind alle Transistoren der MDF18N50-Serie, die von der Firma Magnachip hergestellt werden. Hier sind einige Informationen zu den einzelnen Transistoren:
1) MDF18N50BTH:
- TO-220F Gehäuse
- N-Kanal MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor)
- Nennspannung (VDS): 500V
- Nennstrom (ID): 18A
- Durchlasswiderstand (RDS(on)): 0,35 Ohm
- Gate-Schwellenspannung (VGS(th)): 2,5V bis 4V
2) MDF18N50TH:
- TO-220F Gehäuse
- N-Kanal MOSFET
- Nennspannung (VDS): 500V
- Nennstrom (ID): 18A
- Durchlasswiderstand (RDS(on)): 0,35 Ohm
- Gate-Schwellenspannung (VGS(th)): 2,5V bis 4V
3) MDF18N50B:
- TO-220F Gehäuse
- N-Kanal MOSFET
- Nennspannung (VDS): 500V
- Nennstrom (ID): 18A
- Durchlasswiderstand (RDS(on)): 0,35 Ohm
- Gate-Schwellenspannung (VGS(th)): 2,5V bis 4V
4) MDF18N50:
- TO-220F Gehäuse
- N-Kanal MOSFET
- Nennspannung (VDS): 500V
- Nennstrom (ID): 18A
- Durchlasswiderstand (RDS(on)): 0,35 Ohm
- Gate-Schwellenspannung (VGS(th)): 2,5V bis 4V
Die Transistoren der MDF18N50-Serie sind für Anwendungen in Schaltnetzteilen, Umrichtern und anderen Leistungselektronikschaltungen geeignet. Sie bieten eine hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit sowie einen geringen Durchlasswiderstand. Bitte beachten Sie, dass weitere Informationen wie Datenblätter und technische Spezifikationen von Magnachip oder autorisierten Händlern erhältlich sind.
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